SK Hynix giới thiệu dòng SSD NVMe PCIe M.2, bộ nhớ DDR5 RDIMM và NAND FLASH 4D

tranxuanson 09-01-2020, 4:45 am

SK Hynix được biết đến là một công ty sản xuất bán dẫn lớn của Hàn Quốc, chuyên nghiên cứu, phát triển và sản xuất các dòng chip nhớ dành cho ổ cứng cũng như bộ nhớ RAM. Đồng thời, SK Hynix được xem là nhà cung cấp chip nhớ lớn thứ 2 thế giới chỉ sau Samsung Electronics.

Tại CES 2020, SK Hynix đã mang đến những cải tiến tiên tiến về bộ nhớ và thiết bị lưu trữ mới nhất. Một trong những cải tiến mới nhất của họ là công nghệ "4D NAND" và việc giới thiệu một số ổ SSD cho phân khúc người tiêu dùng mà hãng tự sản xuất. Mặc dù những tin tức xấu gần đây từ các nhà máy của Samsung và Toshiba ảnh hưởng trực tiếp đến giá của chip NAND Flash và bộ nhớ, nhưng điều này không ảnh hưởng đến việc giới thiệu các sản phẩm mới nhất.

Theo đó, ở gian hàng của SK Hynix tại CES 2019 họ đã trực tiếp giới thiệu tới thị trường một số dòng sản phẩm mới dựa trên các công nghệ tiên tiến, bao gồm LPDDR5, DDR5 RDIMM và SSD M.2 NVMe. Trong đó, dòng SSD PCIe NVME được SK Hynix giới thiệu lần này lần lượt là Gold P31 và Platinum P31. Đặc điểm nổi bật nhất của hai dòng sản phẩm này đó chính là sử dụng Nand flash 4D NAND 128 Layer, bộ điều khiển và DRAM Cache do chính SK Hynix nghiên cứu và phát triển cũng như sản xuất. Nên nhớ là nhờ có 4D NAND 128 Layer này mà SK Hynix đã soán được ngôi NAND Flash đầu tiên trên thế giới có được nhiều lớp xếp chồng nhất.

Platinum P31 và Gold P31 giống hệt nhau về mặt kỹ thuật (PCI-Express 3.0 x4, NVMe 1.3, M.2 22110 dựa trên 4D Nand Flash) và chỉ khác nhau về mức dung lượng lẫn độ bền (TBW). P31 có mức dung lượng chỉ 2 TB với độ bền 1.500 TBW; trong khi Gold P31 có dung lượng 500 GB và 1 TB, độ bền tương ứng là với 375 TBW và 750 TBW. Cả hai ổ đĩa đều cung cấp tốc độ đọc tuần tự lên tới 3.500 MB / giây và ghi tuần tự lên tới 3.200 MB / giây.

Tiếp đến, SK Hynix cũng giới thiệu dòng DDR5 RDIMM thế hệ mới. Được thiết kế cho các nền tảng doanh nghiệp thế hệ tiếp từ Intel với tên gọi "Sapphire Rapids". Dòng DDR5 RDIMM có mức xung nhịp lên tới DDR5-4800 MHz với dung lượng 64 GB. Đồng thời, hãng cũng giới thiệu giải pháp bộ nhớ LPDDR4 và LPDDR5 nguyên mẫu mới nhất được thiết kế để cung cấp cho điện thoại thông minh 5G và máy tính siêu di động thế hệ tiếp theo.